MJE350G,463-218,ON Semiconductor MJE350G , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 TO-225封装 ,ON Semiconductor
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MJE350G
ON Semiconductor MJE350G , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 TO-225封装
制造商零件编号：
MJE350G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
463-218
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MJE350G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
7.74mm
尺寸
11.04 x 7.74 x 2.66mm
封装类型
TO-225
高度
11.04mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
2.66mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
3 V
最大功率耗散
20 W
最大集电极-发射极电压
300 V
最大直流集电极电流
500 mA
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
30
关键词
MJE350G相关搜索
安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔
长度 7.74mm
ON Semiconductor 长度 7.74mm
双极晶体管 长度 7.74mm
ON Semiconductor 双极晶体管 长度 7.74mm
尺寸 11.04 x 7.74 x 2.66mm
ON Semiconductor 尺寸 11.04 x 7.74 x 2.66mm
双极晶体管 尺寸 11.04 x 7.74 x 2.66mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 11.04 x 7.74 x 2.66mm
封装类型 TO-225
ON Semiconductor 封装类型 TO-225
双极晶体管 封装类型 TO-225
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-225
高度 11.04mm
ON Semiconductor 高度 11.04mm
双极晶体管 高度 11.04mm
ON Semiconductor 双极晶体管 高度 11.04mm
晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 2.66mm
ON Semiconductor 宽度 2.66mm
双极晶体管 宽度 2.66mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 2.66mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 3 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 3 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 3 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 3 V
最大功率耗散 20 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 20 W
双极晶体管 最大功率耗散 20 W
ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 20 W
最大集电极-发射极电压 300 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 300 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 300 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 300 V
最大直流集电极电流 500 mA
ON Semiconductor 最大直流集电极电流 500 mA
双极晶体管 最大直流集电极电流 500 mA
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最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 30
ON Semiconductor 最小直流电流增益 30
双极晶体管 最小直流电流增益 30
ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 30
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