TS13003BCT A3G,398-512,Taiwan Semiconductor TS13003BCT A3G , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=400 V, HFE:6, 4 MHz, 3引脚 TO-92封装 ,Taiwan Semiconductor
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TS13003BCT A3G
Taiwan Semiconductor TS13003BCT A3G , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=400 V, HFE:6, 4 MHz, 3引脚 TO-92封装
制造商零件编号:
TS13003BCT A3G
制造商:
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
库存编号:
398-512
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TS13003BCT A3G产品详细信息
高电压 NPN 晶体管,Taiwan Semiconductor
TS13003BCT A3G产品技术参数
安装类型
通孔
长度
4.7mm
尺寸
4.7 x 4.7 x 3.7mm
封装类型
TO-92
高度
4.7mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
3.7mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
9 V
最大工作频率
4 MHz
最大功率耗散
1500 mW
最大基极-发射极饱和电压
1.3 V
最大集电极-发射极饱和电压
3 V
最大集电极-发射极电压
400 V
最大集电极-基极电压
700 V
最大直流集电极电流
1.5 A
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
6
关键词
TS13003BCT A3G相关搜索
安装类型 通孔
Taiwan Semiconductor 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
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长度 4.7mm
Taiwan Semiconductor 长度 4.7mm
双极晶体管 长度 4.7mm
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 长度 4.7mm
尺寸 4.7 x 4.7 x 3.7mm
Taiwan Semiconductor 尺寸 4.7 x 4.7 x 3.7mm
双极晶体管 尺寸 4.7 x 4.7 x 3.7mm
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 尺寸 4.7 x 4.7 x 3.7mm
封装类型 TO-92
Taiwan Semiconductor 封装类型 TO-92
双极晶体管 封装类型 TO-92
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-92
高度 4.7mm
Taiwan Semiconductor 高度 4.7mm
双极晶体管 高度 4.7mm
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晶体管类型 NPN
Taiwan Semiconductor 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
Taiwan Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
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宽度 3.7mm
Taiwan Semiconductor 宽度 3.7mm
双极晶体管 宽度 3.7mm
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 宽度 3.7mm
每片芯片元件数目 1
Taiwan Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Taiwan Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 9 V
Taiwan Semiconductor 最大发射极-基极电压 9 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 9 V
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 9 V
最大工作频率 4 MHz
Taiwan Semiconductor 最大工作频率 4 MHz
双极晶体管 最大工作频率 4 MHz
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 4 MHz
最大功率耗散 1500 mW
Taiwan Semiconductor 最大功率耗散 1500 mW
双极晶体管 最大功率耗散 1500 mW
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 1500 mW
最大基极-发射极饱和电压 1.3 V
Taiwan Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 1.3 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.3 V
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.3 V
最大集电极-发射极饱和电压 3 V
Taiwan Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 3 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 3 V
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最大集电极-发射极电压 400 V
Taiwan Semiconductor 最大集电极-发射极电压 400 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 400 V
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 400 V
最大集电极-基极电压 700 V
Taiwan Semiconductor 最大集电极-基极电压 700 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 700 V
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最大直流集电极电流 1.5 A
Taiwan Semiconductor 最大直流集电极电流 1.5 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 1.5 A
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最低工作温度 -55 °C
Taiwan Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
双极晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Taiwan Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 6
Taiwan Semiconductor 最小直流电流增益 6
双极晶体管 最小直流电流增益 6
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TS13003BCT A3G产品技术参数资料
TS13003B High Voltage NPN Transistor Data Sheet
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