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安装类型	表面贴装
长度	4.5mm
尺寸	1.5 x 4.5 x 2.5mm
封装类型	SOT-89
高度	1.5mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	2.5mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	3 V
最大工作频率	1.5 GHz
最大功率耗散	1 W
最大集电极-发射极电压	15 V
最大集电极-基极电压	20 V
最大直流集电极电流	75 mA
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	70
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.5mm  Infineon 长度 4.5mm  双极晶体管 长度 4.5mm  Infineon 双极晶体管 长度 4.5mm   尺寸 1.5 x 4.5 x 2.5mm  Infineon 尺寸 1.5 x 4.5 x 2.5mm  双极晶体管 尺寸 1.5 x 4.5 x 2.5mm  Infineon 双极晶体管 尺寸 1.5 x 4.5 x 2.5mm   封装类型 SOT-89  Infineon 封装类型 SOT-89  双极晶体管 封装类型 SOT-89  Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-89   高度 1.5mm  Infineon 高度 1.5mm  双极晶体管 高度 1.5mm  Infineon 双极晶体管 高度 1.5mm   晶体管类型 NPN  Infineon 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  Infineon 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Infineon 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 2.5mm  Infineon 宽度 2.5mm  双极晶体管 宽度 2.5mm  Infineon 双极晶体管 宽度 2.5mm   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Infineon 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 3 V  Infineon 最大发射极-基极电压 3 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 3 V  Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 3 V   最大工作频率 1.5 GHz  Infineon 最大工作频率 1.5 GHz  双极晶体管 最大工作频率 1.5 GHz  Infineon 双极晶体管 最大工作频率 1.5 GHz   最大功率耗散 1 W  Infineon 最大功率耗散 1 W  双极晶体管 最大功率耗散 1 W  Infineon 双极晶体管 最大功率耗散 1 W   最大集电极-发射极电压 15 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 15 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 15 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 15 V   最大集电极-基极电压 20 V  Infineon 最大集电极-基极电压 20 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 20 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-基极电压 20 V   最大直流集电极电流 75 mA  Infineon 最大直流集电极电流 75 mA  双极晶体管 最大直流集电极电流 75 mA  Infineon 双极晶体管 最大直流集电极电流 75 mA   最低工作温度 -65 °C  Infineon 最低工作温度 -65 °C  双极晶体管 最低工作温度 -65 °C  Infineon 双极晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 70  Infineon 最小直流电流增益 70  双极晶体管 最小直流电流增益 70  Infineon 双极晶体管 最小直流电流增益 70  

• BFQ19S, Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor