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安装类型	表面贴装
长度	2.9mm
尺寸	2.9 x 1.3 x 1mm
封装类型	SOT-143
高度	1mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	电流反射镜
宽度	1.3mm
每片芯片元件数目	2
引脚数目	4
最大发射极-基极电压	6 V
最大工作频率	250 MHz
最大功率耗散	300 mW
最大基极-发射极饱和电压	0.9 V
最大集电极-发射极饱和电压	0.6 V
最大集电极-发射极电压	30 V
最大集电极-基极电压	30 V
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	100
关键词

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• BCV61, NPN Silicon Double Transistor