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• Microchip 23K256-I/SN, 256kbit SRAM 内存, 32768 个字 x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 SOIC封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  23K256-I/SN
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  666-8148
  
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• Alliance Memory AS6C1008-55STIN, 1048576bit SRAM 内存, 128K x 8 位, 2.7 → 5.5 V, 32针 STSOP封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  AS6C1008-55STIN
  品牌：
  Alliance Memory
  库存编号：
  744-4539
  
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• Renesas Electronics R1LV0408DSP-7LI#B0, 4Mbit SRAM 内存, 512K 个字 x 8 位, 2.7 → 3.6 V, 32针 SOP封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  R1LV0408DSP-7LI#B0
  品牌：
  Renesas Electronics
  库存编号：
  767-5926
  
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• Renesas Electronics R1LV1616RSA-5SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 1M 个字 x 16 位, 2.7 → 3.6 V, 48针 TSOP封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  R1LV1616RSA-5SI#B0
  品牌：
  Renesas Electronics
  库存编号：
  767-5935
  
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• Renesas Electronics R1LV1616HBG-4SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 1M 个字 x 16 位, 2.7 → 3.6 V, 48针 FBGA封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  R1LV1616HBG-4SI#B0
  品牌：
  Renesas Electronics
  库存编号：
  767-5945
  
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• Renesas Electronics R1LV3216RSD-5SI#B0, 32Mbit SRAM 内存, 2M 个字 x 16 位, 2.7 → 3.6 V, 52针 μTSOP II封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  R1LV3216RSD-5SI#B0
  品牌：
  Renesas Electronics
  库存编号：
  767-5951
  
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• Renesas Electronics R1LV1616RSA-5SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 16M x 1 位, 48针 TSOP封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  R1LV1616RSA-5SI#B0
  品牌：
  Renesas Electronics
  库存编号：
  901-5736
  
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• Renesas Electronics R1LV1616HBG-4SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 16M x 1 位, 48针 FBGA封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  R1LV1616HBG-4SI#B0
  品牌：
  Renesas Electronics
  库存编号：
  901-5783
  
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• Renesas Electronics R1LV1616HSA-4SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 2M x 8 位, 48针 TSOP封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  R1LV1616HSA-4SI#B0
  品牌：
  Renesas Electronics
  库存编号：
  901-5795
  
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• Renesas Electronics RMLV0408EGSB-4S2#AA0, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8 位, 1MHz, 32针 TSOP封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  RMLV0408EGSB-4S2#AA0
  品牌：
  Renesas Electronics
  库存编号：
  901-5830
  
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• Renesas Electronics RMLV0414EGSB-4S2#AA0, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16 位, 1MHz, 44针 TSOP封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  RMLV0414EGSB-4S2#AA0
  品牌：
  Renesas Electronics
  库存编号：
  901-5843
  
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• Alliance Memory AS6C6264-55SIN, 64kbit SRAM 内存, 8K 个字 x 8 位, 2.7 → 5.5 V, 28针 SOP封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  AS6C6264-55SIN
  品牌：
  Alliance Memory
  库存编号：
  538-186
  
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• Renesas Electronics R1LV0108ESP-7SI#B0, 1Mbit SRAM 内存, 128K 字 x 8 位, 2.7 → 3.6 V, 32针 SOP封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  R1LV0108ESP-7SI#B0
  品牌：
  Renesas Electronics
  库存编号：
  767-5894
  
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• Renesas Electronics R1LV0408DSP-5SI#B0, 4Mbit SRAM 内存, 512K 个字 x 8 位, 2.7 → 3.6 V, 32针 SOP封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  R1LV0408DSP-5SI#B0
  品牌：
  Renesas Electronics
  库存编号：
  767-5913
  
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• Alliance Memory AS6C1616A-55BIN, 16Mbit SRAM 内存, 1024K x 16 位, 1MHz, 2.7 → 3.6 V, 48针 FPBGA封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  AS6C1616A-55BIN
  品牌：
  Alliance Memory
  库存编号：
  797-5866
  
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• Alliance Memory AS7C316096A-10TIN, 16Mbit SRAM 内存, 2048K x 8 位, 1MHz, 2.7 → 3.6 V, 48针 TSOP封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  AS7C316096A-10TIN
  品牌：
  Alliance Memory
  库存编号：
  797-5869
  
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• Alliance Memory AS7C38096A-10TIN, 8Mbit SRAM 内存, 8M x 1 位, 1MHz, 2.7 至 3.6 V, 44针 TSOP封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  AS7C38096A-10TIN
  品牌：
  Alliance Memory
  库存编号：
  797-5879
  
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• Alliance Memory AS7C38098A-10TIN, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16 位, 1MHz, 2.7 至 3.6 V, 44针 TSOP封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  AS7C38098A-10TIN
  品牌：
  Alliance Memory
  库存编号：
  797-5881
  
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• Alliance Memory AS7C38098A-10BIN, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16 位, 1MHz, 2.7 → 3.6 V, 48针 TFBGA封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  AS7C38098A-10BIN
  品牌：
  Alliance Memory
  库存编号：
  797-5888
  
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• Microchip 23K256-E/ST, 256kbit SRAM 内存, 32768 x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 TSSOP封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  23K256-E/ST
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  823-4440
  
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• Microchip 23K256-E/SN, 256kbit SRAM 内存, 32768 x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 SOIC封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  23K256-E/SN
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  823-4447
  
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• Cypress Semiconductor CY62256VNLL-70SNXI, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8, 1MHz, 2.7 至 3.6 V, 28针 SNC封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  CY62256VNLL-70SNXI
  品牌：
  Cypress Semiconductor
  库存编号：
  827-2569
  
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• Microchip 23K256-I/SN, 256kbit SRAM 内存, 32768 个字 x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 SOIC封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  23K256-I/SN
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  889-5648
  
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• Renesas Electronics R1LV1616RBG-5SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 16M x 1 位, 48针 FBGA封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  R1LV1616RBG-5SI#B0
  品牌：
  Renesas Electronics
  库存编号：
  901-5723
  
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• Renesas Electronics R1LV1616RBG-7SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 1M x 16 位，2M x 8 位, 1MHz, 48针 TFBGA封装
  
  产品分类：SRAM 存储器芯片,规格：最小工作电源电压 2.7 V,
• 制造商零件编号：
  R1LV1616RBG-7SI#B0
  品牌：
  Renesas Electronics
  库存编号：
  901-5727
  
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