产品分类:存储器芯片,规格:最大工作电源电压 2.7 V,
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AS4C16M16D1-5TIN 256Mbit 400MBps DDR SDRAM 芯片, 16M x 16 位, 0.7ns, 2.3 → 2.7 V, 66针 TSOP封装
产品分类:存储器芯片,规格:最大工作电源电压 2.7 V,
制造商零件编号:
AS4C16M16D1-5TIN
品牌:
Alliance Memory
库存编号:
797-5793
搜索
AS4C32M16D1-5TIN 512Mbit 400MBps DDR SDRAM 芯片, 32M x 16 位, 0.7ns, 2.3 → 2.7 V, 66针 TSOP封装
产品分类:存储器芯片,规格:最大工作电源电压 2.7 V,
制造商零件编号:
AS4C32M16D1-5TIN
品牌:
Alliance Memory
库存编号:
797-5816
搜索
Maxim DS1314S-2+ SRAM 控制器, -40 → +85 °C, 2.7 → 3.3 V, 8引脚 SOIC封装, 6V, 带写入保护, 20ns
产品分类:存储器芯片,规格:最大工作电源电压 2.7 V,
制造商零件编号:
DS1314S-2+
品牌:
Maxim
库存编号:
732-7346
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Maxim DS1314S-2+ SRAM 控制器, -40 → +85 °C, 2.7 → 3.3 V, 8引脚 SOIC封装, 6V, 带写入保护, 20ns
产品分类:存储器芯片,规格:最大工作电源电压 2.7 V,
制造商零件编号:
DS1314S-2+
品牌:
Maxim
库存编号:
923-5801
搜索
MT46V32M16P-5B :J 512mb 200MHz DDR SDRAM 芯片, 32M x 16 位, 5ns, 2.5 → 2.7 V, 66针 TSOP封装
产品分类:存储器芯片,规格:最大工作电源电压 2.7 V,
制造商零件编号:
MT46V32M16P-5B :J
品牌:
Micron
库存编号:
782-4563
搜索
MT46V16M16P-5B :M 256mb 200MHz DDR SDRAM 芯片, 16M x 16 位, 5ns, 2.5 → 2.7 V, 66针 TSOP封装
产品分类:存储器芯片,规格:最大工作电源电压 2.7 V,
制造商零件编号:
MT46V16M16P-5B :M
品牌:
Micron
库存编号:
782-4566
搜索
AS4C32M16D1-5TCN 512Mbit 400MBps DDR SDRAM 存储器, 32M x 16 位, 0.7ns, 2.3 → 2.7 V, 66针 TSOP封装
产品分类:存储器芯片,规格:最大工作电源电压 2.7 V,
制造商零件编号:
AS4C32M16D1-5TCN
品牌:
Alliance Memory
库存编号:
797-5807
搜索
AS4C16M16D1-5TCN 256Mbit 400MBps DDR SDRAM 芯片, 16M x 16 位, 0.7ns, 2.3 → 2.7 V, 66针 TSOP封装
产品分类:存储器芯片,规格:最大工作电源电压 2.7 V,
制造商零件编号:
AS4C16M16D1-5TCN
品牌:
Alliance Memory
库存编号:
797-5784
搜索
MT46V32M16BN-6 512Mbit 333MHz DDR SDRAM 芯片, 32M x 16 位, 0.7ns, 2.3 → 2.7 V, 60针 FBGA封装
产品分类:存储器芯片,规格:最大工作电源电压 2.7 V,
制造商零件编号:
MT46V32M16BN-6
品牌:
Micron
库存编号:
138-770
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MT46V16M16P-6T IT:K 256Mbit 333MHz DDR SDRAM 存储器, 16M x 16 位, 0.7ns, 2.3 → 2.7 V, 66针 TSOP封装
产品分类:存储器芯片,规格:最大工作电源电压 2.7 V,
制造商零件编号:
MT46V16M16P-6T IT:K
品牌:
Micron
库存编号:
708-1097
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