产品分类:存储器芯片,规格:高度 0.9mm,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor CAT24C02TDI-GT3A EEPROM 存储器, 2kbit, 256 x, 8bit, 串行 - I2C接口, 900ns, 1.7 → 5.5 V, 5引脚 TSOT-23封装
产品分类:存储器芯片,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
CAT24C02TDI-GT3A
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
781-4708
搜索
Renesas Electronics R1LV1616HBG-4SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 1M 个字 x 16 位, 2.7 → 3.6 V, 48针 FBGA封装
产品分类:存储器芯片,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
R1LV1616HBG-4SI#B0
品牌:
Renesas Electronics
库存编号:
767-5945
查看其他仓库
Renesas Electronics R1LV1616HBG-4SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 16M x 1 位, 48针 FBGA封装
产品分类:存储器芯片,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
R1LV1616HBG-4SI#B0
品牌:
Renesas Electronics
库存编号:
901-5783
搜索
ISSI IS62WV51216BLL-55BLI, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16, 2.5 → 3.6 V, 48针 BGA封装
产品分类:存储器芯片,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
IS62WV51216BLL-55BLI
品牌:
ISSI
库存编号:
811-5214
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ISSI IS61WV25616BLL-10BLI, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16, 2.4 → 3.6 V, 48针 TFBGA封装
产品分类:存储器芯片,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
IS61WV25616BLL-10BLI
品牌:
ISSI
库存编号:
811-5188
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Renesas Electronics R1LV1616HBG-5SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 16M x 1 位, 1MHz, 48针 TFBGA封装
产品分类:存储器芯片,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
R1LV1616HBG-5SI#B0
品牌:
Renesas Electronics
库存编号:
901-5792
搜索
ON Semiconductor CAT24AA04TDI-GT3 EEPROM 存储器, 4kbit, 512 x, 8bit, 串行 - I2C接口, 1.7 → 5.5 V, 5引脚 TSOT-23封装
产品分类:存储器芯片,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
CAT24AA04TDI-GT3
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
781-4695
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ON Semiconductor CAT24AA16TDI-GT3 EEPROM 存储器, 16kbit, 2048 x, 8bit, 串行 - I2C接口, 1.7 → 5.5 V, 5引脚 TSOT-23封装
产品分类:存储器芯片,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
CAT24AA16TDI-GT3
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
781-4705
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