产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9Z34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0806
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP8N80C, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQP8N80C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5199
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Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK14A65W,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK14A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5028
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ4410EY-T1-GE3, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SQ4410EY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3911
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ROHM N沟道 Si MOSFET R6012ANX, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FM封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
R6012ANX
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7539
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK14N65W,S1F(S, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK14N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2891
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NLPBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9Z34NLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5056
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7493TRPBF, 9.3 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7493TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4960
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9388TRPBF, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9388TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4985
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9Z34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4867
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF630NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-5025
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NSPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9Z34NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9484
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF630NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0068
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW19NM60N, 13 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW19NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7964
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STB28N65M2, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB28N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5617
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK14A65W,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK14A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2885
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF9Z34N, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF9Z34N
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8621
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NSTRLPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF630NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4945
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NSPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF630NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9276
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Infineon DirectFET, HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF6644TR1PBF, 10.3 A, Vds=100 V, 7引脚 DirectFET MN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF6644TR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6718
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ042N04NS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSZ042N04NS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5355
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP18NM60N, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP18NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0051
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STL18NM60N, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 PowerFLAT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STL18NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0569
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Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK14E65W,S1X(S, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK14E65W,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5025
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF28N65M2, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF28N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5645
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