产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8318TR2PBF, 120 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFH8318TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4378
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQM40N10-30-GE3, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SQM40N10-30-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3958
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI111N15N3GAKSA1, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPI111N15N3GAKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4650
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R310CFD, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPI65R310CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6729
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R310CFD, 11.4 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPW65R310CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7646
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD16N25CTM, 16 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQD16N25CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0964
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG7401SFG-13, 9.8 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
DMG7401SFG-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5254
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF634S-GE3, 8.1 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIHF634S-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2632
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R310CFDXKSA1, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP65R310CFDXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6943
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R310CFD, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPA65R310CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8627
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8854, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMC8854
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4829
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB108N15N3 G, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB108N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
898-6996
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG7401SFG-7, 9.8 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
DMG7401SFG-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5263
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN020-100YS, 43 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-669封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PSMN020-100YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2867
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2-15, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD30N06S2-15
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9197
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF634PBF, 8.1 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF634PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9282
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF16N25C, 15.6 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQPF16N25C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5231
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3017SFG-7, 15.2 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
DMP3017SFG-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3216
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