产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 53 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 53 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP60R125CP
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7478
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7241PBF, 6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 53 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7241PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1459
搜索
International Rectifier N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5104TR2PBF, 24 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 53 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFH5104TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
737-7262
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQH8N100C, 8 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 53 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQH8N100C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5857
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA8N100C, 8 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 53 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQA8N100C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4972
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7241TRPBF, 6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 53 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7241TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8844
搜索
MagnaChip N沟道 Si MOSFET MMF65R190PTH, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 53 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
MMF65R190PTH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-5044
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