产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (3)
Infineon (9)
NXP (1)
ON Semiconductor (3)
STMicroelectronics (2)
Vishay (5)
重新选择
规格选型
安装类型
长度
尺寸
典型关断延迟时间
典型接通延迟时间
典型输入电容值@Vds
典型栅极电荷@Vgs
封装类型
高度
晶体管材料
晶体管配置
宽度
类别
每片芯片元件数目
通道类型
通道模式
系列
引脚数目
正向二极管电压
正向跨导
最大功率耗散
最大连续漏极电流
最大漏源电压
最大漏源电阻值
最大栅阈值电压
最大栅源电压
最低工作温度
最高工作温度
最小栅阈值电压
通孔(6)
表面贴装(17)
重新选择
10.51mm(1)
10.36mm(1)
10.4mm(1)
10.67mm(2)
10.75mm(1)
2.9mm(1)
10.41mm(2)
5mm(6)
6.5mm(1)
6.73mm(6)
6.7mm(1)
重新选择
10.75 x 10.4 x 4.6mm(1)
10.4 x 4.6 x 16.4mm(1)
10.51 x 4.65 x 15.49mm(1)
10.67 x 9.65 x 4.83mm(2)
10.36 x 4.57 x 15.95mm(1)
10.41 x 4.7 x 9.01mm(2)
2.9 x 2.3 x 0.9mm(1)
5 x 4 x 1.5mm(6)
6.7 x 3.7 x 1.7mm(1)
6.73 x 6.22 x 2.41mm(1)
6.73 x 6.35 x 2.38mm(1)
6.73 x 6.22 x 2.39mm(2)
6.73 x 6.22 x 2.38mm(2)
6.5 x 6.22 x 2.3mm(1)
重新选择
17 ns(4)
22 ns(1)
25 ns(1)
26 ns(1)
18 ns(2)
21 ns(2)
19 ns(3)
24 ns(1)
37 ns(1)
33 ns(2)
32 ns(3)
4000 ns(1)
52 ns(1)
重新选择
10 ns(3)
13 ns(1)
11.5 ns(2)
22 ns(1)
3 ns(1)
12 ns(2)
5.1 ns(3)
300 ns(1)
8.7 ns(1)
8 ns(3)
6 ns(1)
7 ns(1)
8.3 ns(3)
重新选择
1635 pF @ 25 V(1)
1420 pF @ 25 V(1)
1520 pF @ 25 V(1)
1790 pF @ 25 V(1)
1932 pF @ 15 V(1)
360 pF @ 25 V(1)
846 pF @ 25 V(1)
740 pF @ 25 V(2)
360 pF@ 25 V(1)
5485 pF @ 25 V(1)
620 pF@ 25 V(2)
620 pF @ 25 V(1)
740 pF@ 25 V(1)
770 pF@ 24(1)
800 pF @ 25 V(1)
800 pF@ 25 V(1)
1330 pF @ 30 V(3)
490 pF@ 25 V(1)
重新选择
24 nC @ 10 V(23)
重新选择
DPAK(3)
SC-73(1)
ECH(1)
TO-220(1)
TO-220FP(1)
TO-252(3)
IPAK(1)
SOIC(6)
TO-220AB(3)
D2PAK(3)
重新选择
0.9mm(1)
1.5mm(6)
15.95mm(1)
16.4mm(1)
2.3mm(1)
2.41mm(1)
15.49mm(1)
1.7mm(1)
2.38mm(3)
2.39mm(2)
9.01mm(2)
4.83mm(2)
4.6mm(1)
重新选择
Si(23)
重新选择
隔离式(6)
单(16)
共漏极(1)
重新选择
10.4mm(1)
2.3mm(1)
4.7mm(2)
3.7mm(1)
4.57mm(1)
4.65mm(1)
9.65mm(2)
6.22mm(6)
4mm(6)
6.35mm(1)
4.6mm(1)
重新选择
功率 MOSFET(20)
重新选择
1(16)
2(7)
重新选择
N(23)
重新选择
增强(23)
重新选择
CoolMOS C3(1)
STripFET(2)
OptiMOS T2(1)
UltraFET(1)
OptiMOS T(1)
HEXFET(6)
PowerTrench(1)
重新选择
3(15)
4(1)
8(7)
重新选择
1.3V(1)
1.2V(1)
重新选择
5.6S(1)
18s(1)
重新选择
1.4 W(1)
110 W(1)
144 W(1)
2 W(5)
2000 mW(1)
227 W(1)
3.1 W(1)
56 W(1)
50 W(2)
8300 mW(1)
72 W(1)
90 W(1)
74 W(2)
25 W(1)
37.5 W(1)
57 W(1)
62.5 W(1)
重新选择
15 A(2)
24 A(1)
2.5 A(2)
75 A(1)
30 A(1)
37 A(1)
8 A(3)
4.7 A(3)
50 A(1)
44 A(1)
5 A(3)
54 A(1)
6.2 A(1)
10 A(2)
重新选择
200 V(2)
100 V(3)
30 V(3)
500 v(5)
650 V(1)
55 V(3)
60 V(5)
24 V(1)
重新选择
0.014 Ω(1)
0.0178 Ω(1)
1.4 Ω(2)
1.7 Ω(1)
17.8 mΩ(2)
160 mΩ(2)
3.5 mΩ(1)
3 Ω(2)
53 mΩ(1)
42 mΩ(2)
30 mΩ(1)
74 mΩ(1)
8 mΩ(1)
50 mΩ(2)
5.5 mΩ(1)
65 mΩ(1)
750 mΩ(1)
重新选择
1.3V(1)
1V(3)
2.4V(1)
3.9V(1)
2.8V(1)
2.2V(2)
2V(1)
4V(6)
重新选择
±16 V(1)
±20 V(17)
±12 V(1)
±20 V,±30 V(1)
±30 V(3)
重新选择
-65 °C(1)
-55 °C(21)
重新选择
+175 °C(7)
+150 °C(16)
重新选择
1.2V(1)
1V(6)
2.1V(1)
2V(12)
重新选择
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF820PBF, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF820PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0002
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB19NF20, 15 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB19NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9834
搜索
ON Semiconductor ECH8651R-TL-HX, 双 N沟道 MOSFET, 10 A, Vds=24 V, 8针 ECH封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
ECH8651R-TL-HX
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-9431
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD24N06T4G, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NTD24N06T4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1002
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4906N-35G, 54 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NTD4906N-35G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-4051
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF820L-GE3, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIHF820L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2645
搜索
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD3672_F085, 44 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDD3672_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8076
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP06N60C3, 6.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPP06N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2175
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7341PBF, 4.7 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7341PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1758
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7351PBF, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7351PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9237
搜索
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N10S3L-34, 30 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD30N10S3L-34
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3018
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7341TRPBF, 4.7 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7341TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8891
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET BSP030,115, 10 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSP030,115
品牌:
NXP
库存编号:
508-810
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRF830ASPBF, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF830ASPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4110
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB86135, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDB86135
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
802-3219
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N03S4L-06, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD50N03S4L-06
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4590
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD5810_F085, 37 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDD5810_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8089
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7351PBF, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7351PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4020
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7351TRPBF, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7351TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4954
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7341PBF, 4.7 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7341PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4921
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRF830APBF, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF830APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9434
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STF19NF20, 15 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF19NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0452
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR430ATRPBF, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR430ATRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0635
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号