以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP7N60P, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXTP7N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-506
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STB18N60DM2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STB18N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6459
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW18N60DM2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW18N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6479
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD5NK50ZT4, 4.4 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD5NK50ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5134
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD6416ANT4G, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NTD6416ANT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2935
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFZ24NS, 17 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ24NS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1872
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB812PBF, 3.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB812PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1939
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD10NM60ND, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD10NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9534
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STF12N65M5, 8.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF12N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2748
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF600N60Z, 7.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FCPF600N60Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1127
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP600N60Z, 7.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FCP600N60Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1149
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQJ850EP-T1_GE3, 24 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SQJ850EP-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9500
  
• 
  查看其他仓库

• Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN8R3-40YS, 70 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN8R3-40YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3034
  
• 
  搜索

• Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK6A65D(STA4,X,M), 6 A, Vds=650 V, 3引脚 SC-67封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK6A65D(STA4,X,M)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5191
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP18N20F, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDP18N20F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3545
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF18N20FT, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDPF18N20FT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3591
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR320TRPBF, 3.1 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR320TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0626
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF720L-GE3, 3.3 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIHF720L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2639
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ24NSTRLPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFZ24NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5853
  
• 
  查看其他仓库

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK6A65D(STA4,X,M), 6 A, Vds=650 V, 3引脚 SC-67封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK6A65D(STA4,X,M)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2420
  
• 
  查看其他仓库

• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R3-40YS, 70 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN8R3-40YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8129
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9220PBF, 3.6 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR9220PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9698
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU024NPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1607
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF720PBF, 3.3 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF720PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0080
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 FQD10N20CTM, 7.8 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQD10N20CTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0936
  
• 
  查看其他仓库