产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (1)
Infineon (32)
ON Semiconductor (3)
STMicroelectronics (1)
Texas Instruments (1)
Vishay (6)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB3206PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-574
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310ZPBF, 127 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFS4310ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-821
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP460LCPBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP460LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0193
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP22N50APBF, 22 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP22N50APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1972
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NSPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF1010NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2874
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI1310NPBF, 24 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFI1310NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9591
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3206PBF, 200 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP3206PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6989
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZS, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF1405ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7414
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 晶体管 NTB6410ANG, 76 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NTB6410ANG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1005
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA44N30, 43 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQA44N30
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-8988
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SiHP18N50C-E3, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SiHP18N50C-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2689
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19506KCS, 273 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
CSD19506KCS
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4903
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF1010NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0777
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4410PBF, 88 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB4410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4766
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4310ZPBF, 127 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB4310ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6951
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZL, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF1405ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7405
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP1405, 160 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRFP1405
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1819
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF4905L, 70 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF4905L
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9133
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFSL3206, 120 A,210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRFSL3206
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9206
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405ZPBF, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF1405ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5734
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3207ZGPBF, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB3207ZGPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5790
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH170N8F7-2, 120 A, Vds=80 V, 2引脚 H2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STH170N8F7-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2830
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1405ZS, 150 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF1405ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4082
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI1310NPBF, 24 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFI1310NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-5012
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFS3206PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-552
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号