产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP100NF04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP100NF04
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2161
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1310NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF1310NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1506
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFZ48VSPBF, 72 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFZ48VSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2250
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB100NF04T4, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB100NF04T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5093
搜索
Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7799L2TR1PBF, 375 A, Vds=250 V, 11引脚 DirectFET L8封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7799L2TR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5397
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK39A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5122
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK39N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5138
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK39J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6211
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP104N60F, 37 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCP104N60F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7893
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK39N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2372
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ48GPBF, 37 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFIZ48GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
918-9865
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQA24N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4929
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ48GPBF, 37 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFIZ48GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4799
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN0R9-25YLC, 100 A, Vds=25 V, 4引脚 SOT-669封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PSMN0R9-25YLC
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2895
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ48PBF, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFZ48PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0688
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4710PBF, 72 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP4710PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4010
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK39N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6218
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N03S4L-03, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPI80N03S4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6748
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N03S4L-03, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP80N03S4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2311
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK39J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2369
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH52N30P, 52 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFH52N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0723
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH52N30P, 52 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFH52N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-537
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1310NSPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF1310NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2880
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP048PBF, 70 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP048PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4793
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLS3036-7P, 240 A,300 A, Vds=60 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRLS3036-7P
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9243
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