产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (22)
Infineon (16)
IXYS (1)
MagnaChip (1)
Nexperia (1)
ON Semiconductor (2)
ROHM (2)
STMicroelectronics (7)
Toshiba (1)
Vishay (10)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSP171P
品牌:
Infineon
库存编号:
167-942
搜索
Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 TPC6108(TE85L,F), 4.5 A, Vds=30 V, 6引脚 VS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TPC6108(TE85L,F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
415-336
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9610GPBF, 2 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFI9610GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-2193
搜索
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQU11P06TU, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQU11P06TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5335
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4019H-117P, 8.7 A, Vds=150 V, 5引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFI4019H-117P
品牌:
Infineon
库存编号:
700-3198
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 29 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMC86102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6314
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ105N04NS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSZ105N04NS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5361
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC3512, 3 A, Vds=80 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDC3512
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9011
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STD20NF06LT4, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD20NF06LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0411
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDU7N60NZTU, 5.5 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDU7N60NZTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0710
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF11P06, 6.1 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQPF11P06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5885
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N03LSG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSZ100N03LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5142
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R520CP, 7.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD50R520CP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5334
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMC86102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4774
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD26AN06A0_F085, 36 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDD26AN06A0_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8067
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4019HG-117P, 8.7 A, Vds=150 V, 5引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFI4019HG-117P
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5113
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRFR9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR9310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
535-3270
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFU9310PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9967
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDM3622, 4.4 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDM3622
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0371
搜索
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQD11P06TM, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQD11P06TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0949
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4019PBF, 17 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB4019PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6920
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86324, 30 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMC86324
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6311
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R950C6, 4.4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD60R950C6
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3015
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPA03N60C3, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPA03N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3138
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS8935, 2.1 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDS8935
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9702
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号