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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5997DU-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI5997DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1365
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STU2N80K5, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STU2N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1478
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STD3N80K5, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD3N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7079
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C673NLT1G, 50 A, Vds=60 V, 5引脚 DFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NTMFS5C673NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  922-9581
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP372N H6327, 1.8 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSP372N H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7754
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STU1HN60K3, 1.2 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STU1HN60K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7949
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STD1HN60K3, 1.2 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD1HN60K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9289
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STP3N80K5, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP3N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4436
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD3NM60N, 3.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD3NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2905
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD15N06-42L_GE3, 15 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SQD15N06-42L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9478
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STU3N80K5, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STU3N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1475
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STP2N80K5, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP2N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4424
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STF3N80K5, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF3N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4531
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL014NTRPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRLL014NTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3307
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL014NPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRLL014NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4738
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL014NPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRLL014NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  302-000
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STF2N80K5, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF2N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4534
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STD2N80K5, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD2N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7072
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPU02N60C3, 1.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPU02N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7210
  
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