产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH70N20Q3, 70 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFH70N20Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1392
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ40PBF, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFZ40PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0676
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH5010TRPBF, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFH5010TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5195
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF640NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4817
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI840GPBF, 4.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFI840GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-8279
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5006TR2PBF, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFH5006TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7771
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5010TR2PBF, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFH5010TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7778
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8010, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMC8010
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1187
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFZ44S-GE3, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIHFZ44S-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0685
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VPBF, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFZ44VPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3821
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NSPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF640NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9298
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VPBF, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFZ44VPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0939
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ44PBF, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFZ44PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4862
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ44V, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRFZ44V
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9209
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN9R5-100PS, 89 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PSMN9R5-100PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-3040
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFT70N20Q3, 70 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-268封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFT70N20Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1471
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NSTRLPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF640NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2853
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NLPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF640NLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2859
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NSPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF640NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-5006
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUD42N03-3M9P-GE3, 107 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SUD42N03-3M9P-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7464
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF640NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0014
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