产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Toshiba N沟道 Si MOSFET 2SK3564,S5Q(J, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 SC-67封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
2SK3564,S5Q(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4810
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK14A65W,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
TK14A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5028
查看其他仓库
Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK6A65D(STA4,X,M), 6 A, Vds=650 V, 3引脚 SC-67封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
TK6A65D(STA4,X,M)
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5191
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75329D3ST, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
HUF75329D3ST
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-6676
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK14N65W,S1F(S, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
TK14N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2891
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK6A65D(STA4,X,M), 6 A, Vds=650 V, 3引脚 SC-67封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
TK6A65D(STA4,X,M)
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2420
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA11N90C_F109, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
FQA11N90C_F109
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4890
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD15NF10T4, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
STD15NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-1060
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI7149ADP-T1-GE3, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
SI7149ADP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1393
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK14A65W,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
TK14A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2885
查看其他仓库
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
STW25NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1990
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Magnatec Si P沟道 MOSFET 2N6845, 4 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-39封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
2N6845
品牌:
Magnatec
库存编号:
189-0668
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA13N80_F109, 12.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
FQA13N80_F109
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4897
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQAF13N80, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PF封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
FQAF13N80
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4982
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP24NF10, 26 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
STP24NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5377
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
STP25NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0089
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
STW25NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0301
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK14E65W,S1X(S, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
TK14E65W,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5025
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH041N65F_F155, 76 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
FCH041N65F_F155
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1261
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK14E65W,S1X(S, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
TK14E65W,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2897
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Vishay Si P沟道 MOSFET SISS27DN-T1-GE3, 23 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
SISS27DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4299
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Semikron Si N沟道 MOSFET SKM111AR, 200 A, Vds=100 V, 4引脚 SEMITRANSM1封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
SKM111AR
品牌:
Semikron
库存编号:
505-3188
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA70N15, 70 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
FQA70N15
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4966
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
STB25NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9493
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 60 ns,
制造商零件编号:
STF25NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2798
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