产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 5.5 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMS3014SFG-7, 9.5 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 5.5 ns,
制造商零件编号:
DMS3014SFG-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5184
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC8032L, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 5.5 ns,
制造商零件编号:
FDMC8032L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8209
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDG6317NZ, 700 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 5.5 ns,
制造商零件编号:
FDG6317NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3400
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16412Q5A, 52 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 5.5 ns,
制造商零件编号:
CSD16412Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4785
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STN1NK60Z, 300 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 5.5 ns,
制造商零件编号:
STN1NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-1072
搜索
NXP N沟道 Si MOSFET PMV213SN,215, 1.9 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 5.5 ns,
制造商零件编号:
PMV213SN,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8326
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Infineon DirectFET, HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF7647S2TR1, 24 A, Vds=100 V, 7引脚 DirectFET SB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 5.5 ns,
制造商零件编号:
AUIRF7647S2TR1
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7506
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 P沟道 Si MOSFET FDG6306P, 600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 5.5 ns,
制造商零件编号:
FDG6306P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-4423
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ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET NTHD4102PT1G, 4.1 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 5.5 ns,
制造商零件编号:
NTHD4102PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0589
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB065N03LG, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 5.5 ns,
制造商零件编号:
IPB065N03LG
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8649
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MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDS1528URH, 11.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 5.5 ns,
制造商零件编号:
MDS1528URH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-4984
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