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• Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI1912EDH-T1-E3, 1.13 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1912EDH-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3235
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI7655DN-T1-GE3, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SI7655DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9257
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI3483CDV-T1-GE3, 7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SI3483CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3164
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  VS-FB190SA10
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0953
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  VS-FB190SA10
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  762-0153
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI3483CDV-T1-GE3, 7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SI3483CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4268
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SISS23DN-T1-GE3, 27 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  SISS23DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1314
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 VS-FB190SA10, 190 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-227封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 45 ns,
• 制造商零件编号：
  VS-FB190SA10
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5788
  
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