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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  IPA90R800C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7149
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  IPW90R1K2C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7434
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPA90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  IPA90R340C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9088
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP2602, 380 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRFP2602
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1813
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R120C3, 36 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  IPW90R120C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3077
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5107
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  TK35A65W,S5X(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5110
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6198
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2954
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2338
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  IPW90R340C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8390
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIR401DP-T1-GE3, 50 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR401DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9342
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET 2SK3565,S5Q(J, 5 A, Vds=900 V, 3引脚 SC-67封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  2SK3565,S5Q(J
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4814
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6173
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  TK35N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6208
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPI90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  IPI90R800C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6823
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31E60W,S1VX(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2958
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  TK35A65W,S5X(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2353
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  TK35N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2357
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL60B216, 305 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL60B216
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  896-7358
  
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• STMicroelectronics 双 N沟道 Si MOSFET VNS1NV04DP-E, 3.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  VNS1NV04DP-E
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  917-2797
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5081
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5093
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPD90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD90R1K2C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9180
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型接通延迟时间 70 ns,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6185
  
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