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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2309CDS-T1-GE3, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2309CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3250
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2333DDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9222
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2319CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2319CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5891
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI3457CDV-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI3457CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3298
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2319CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2319CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9042
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2309CDS-T1-GE3, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2309CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0262
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2319CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2319CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4208
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIS435DNT-T1-GE3, 22 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SIS435DNT-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1317
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2333DDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4220
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 40 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2333DDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5914
  
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