产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (6)
Infineon (11)
IXYS (4)
ON Semiconductor (3)
STMicroelectronics (11)
Toshiba (3)
Vishay (5)
Wolfspeed (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP120N10, 74 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
FDP120N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9673
查看其他仓库
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 ATP216-TL-H, 35 A, Vds=50 V, 3引脚 ATPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
ATP216-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0774
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFQ28N60P3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IXFQ28N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4451
查看其他仓库
Vishay P沟道 Si MOSFET SI1469DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
SI1469DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3081
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N10N3G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IPB042N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5237
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI120N04S4-02, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IPI120N04S4-02
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4657
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500L, 124 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
FDMS86500L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4897
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF55-06, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
STP80NF55-06
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6597
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP62N15P, 62 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IXTP62N15P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-316
搜索
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STD100N10F7, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
STD100N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-2005
搜索
STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW48N60DM2, 40 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
STW48N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6484
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC020N03MS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
BSC020N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5235
搜索
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STF100N10F7, 45 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
STF100N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3625
搜索
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STL100N10F7, 80 A, Vds=100 V, 8引脚 Power Flat封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
STL100N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3729
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH28N60P3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IXFH28N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4379
查看其他仓库
Vishay P沟道 Si MOSFET SI8489EDB-T2-E1, 4.3 A, Vds=20 V, 4引脚 微型支脚封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
SI8489EDB-T2-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1438
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023N04NGXKSA1, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IPP023N04NGXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6836
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD9407_F085, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
FDD9407_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8130
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF55-06FP, 60 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
STP80NF55-06FP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7894
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW11NK100Z, 8.3 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
STW11NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5318
搜索
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STD100N10F7, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
STD100N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3592
搜索
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STB100N10F7, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
STB100N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5697
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSO033N03MSG, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
BSO033N03MSG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9184
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB039N10N3G, 160 A, Vds=100 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
IPB039N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5299
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK22A10N1,S4X(S, 22 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 27 ns,
制造商零件编号:
TK22A10N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6176
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号