产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z34SPBF, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRF9Z34SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
301-221
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP460PBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRFP460PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9654
查看其他仓库
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP460LCPBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRFP460LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0193
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP460APBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRFP460APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9800
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SIHB22N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9313
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SIHB22N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0966
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50PBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRFPC50PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9838
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SiHP22N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9430
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Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHB22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SIHB22N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5790
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Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG22N60E-E3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SIHG22N60E-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9326
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF22N60E-E3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SIHF22N60E-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9329
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI1403CDL-T1-GE3, 1.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SI1403CDL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9125
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR424DP-T1-GE3, 23 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SIR424DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1279
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Vishay Si P沟道 MOSFET SIHF9Z34STRL-GE3, 13 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SIHF9Z34STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2685
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI4823DY-T1-GE3, 3.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SI4823DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1283
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUM90N03-2M2P-E3, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SUM90N03-2M2P-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7492
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP448PBF, 11 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRFP448PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9793
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z34PBF, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
IRF9Z34PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4755
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SIHP22N60E-E3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SIHP22N60E-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9341
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG22N60E-GE3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SiHG22N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9412
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Vishay N沟道 Si MOSFET SIHB12N50C-E3, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 18 ns,
制造商零件编号:
SIHB12N50C-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1257
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