产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si N沟道 MOSFET SIS406DN-T1-GE3, 9 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SIS406DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3418
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI3433CDV-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI3433CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3142
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI4436DY-T1-GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI4436DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3224
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIR850DP-T1-GE3, 20 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SIR850DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1294
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SUM110P06-08L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SUM110P06-08L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5740
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SUM110P06-07L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SUM110P06-07L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5756
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI2305CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI2305CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3248
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4162DY-T1-GE3, 13.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI4162DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3323
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Vishay Si P沟道 MOSFET TP0610K-T1-GE3, 185 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
TP0610K-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9018
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9027
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Vishay P沟道 Si MOSFET SIA461DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SIA461DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9291
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA12DP-T1-GE3, 25 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SIRA12DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9386
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA10DN-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SISA10DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9409
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI1025X-T1-GE3, 135 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI1025X-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3029
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Vishay Si N沟道 MOSFET Si1416EDH-T1-GE3, 3.9 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
Si1416EDH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3063
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI3447CDV-T1-GE3, 6.2 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI3447CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3154
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA921EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SIA921EDJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1235
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIS430DN-T1-GE3, 21 A, Vds=25 V, 8引脚 PowePAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SIS430DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1308
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI2305CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI2305CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0269
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4946BEY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4195
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPF50PBF, 6.7 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRFPF50PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9901
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2301BDS-T1-E3, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI2301BDS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4660
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Vishay Si P沟道 MOSFET SUM110P06-08L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SUM110P06-08L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-5014
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA10DP-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SIRA10DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9377
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI7114ADN-T1-GE3, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI7114ADN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
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