产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 62 ns,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
Infineon (13)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4868PBF, 70 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 62 ns,
制造商零件编号:
IRFP4868PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8947
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2204SPBF, 170 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 62 ns,
制造商零件编号:
IRF2204SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2780
查看其他仓库
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N03S4L-03, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 62 ns,
制造商零件编号:
IPI80N03S4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6748
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N03S4L-03, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 62 ns,
制造商零件编号:
IPP80N03S4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2311
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4868PBF, 70 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 62 ns,
制造商零件编号:
IRFP4868PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4733
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N03S4L-02, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 62 ns,
制造商零件编号:
IPD90N03S4L-02
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9398
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N03S4L-02, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 62 ns,
制造商零件编号:
IPB80N03S4L-02
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8954
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB029N06N3GE8187ATMA1, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 62 ns,
制造商零件编号:
IPB029N06N3GE8187ATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9200
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI032N06N3 G, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 62 ns,
制造商零件编号:
IPI032N06N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2090
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA032N06N3 G, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 62 ns,
制造商零件编号:
IPA032N06N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7181
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2204PBF, 210 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 62 ns,
制造商零件编号:
IRF2204PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5746
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP032N06N3 G, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 62 ns,
制造商零件编号:
IPP032N06N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2100
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB029N06N3G, 120 A, Vds=60 V, 3针+焊片 PG-TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 62 ns,
制造商零件编号:
IPB029N06N3GATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
914-0185
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号