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• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET晶体管和二极管 IXFX30N100Q2, 30 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFX30N100Q2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-947
  
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• Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  BUZ906
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  841-110
  
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• Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906P, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  BUZ906P
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  841-132
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STF25N80K5, 19.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  STF25N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2011
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB35NF10, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  STB35NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7232
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8896, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS8896
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0731
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB22P10TM, 22 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  FQB22P10TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0879
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB50N06TM, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  FQB50N06TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0911
  
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• Semelab Si P沟道 MOSFET ALF08P16K, 8 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  ALF08P16K
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  737-9577
  
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• Semelab Si P沟道 MOSFET ALF08P20K, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  ALF08P20K
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  737-9586
  
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• Panasonic MTM 系列 N沟道 Si MOSFET MTM232270LBF, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 SMini3-G1-B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  MTM232270LBF
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  749-8259
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET BSS138K, 220 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS138K
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-4401
  
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• ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTLJS3113PT1G, 7.7 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  NTLJS3113PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0661
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  STF24N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2924
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  STW24N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3090
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STB24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  STB24N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3103
  
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• Panasonic MTM 系列 N沟道 Si MOSFET MTM232270LBF, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 SMini3-G1-B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  MTM232270LBF
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7664
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX78N50P3, 78 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFX78N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4509
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFN82N60Q3, 66 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFN82N60Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7587
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB100N10S3-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5649
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4H1ATMA2, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB180N06S4H1ATMA2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5182
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4-H1, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB180N06S4-H1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5189
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPI100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  IPI100N10S3-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4641
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP80N06S2L-06, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S2L-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6993
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP08N50C3XKSA1, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 60 ns,
• 制造商零件编号：
  SPP08N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8794
  
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