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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF740PBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF740PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0020
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4116DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3317
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 SI4948BEY-T1-E3, 2.4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3377
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI3433CDV-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI3433CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3142
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4116DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0272
  
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• Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5882
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4840BDY-T1-GE3, 10 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4840BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4736
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SUD50P04-13L-E3, 60 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SUD50P04-13L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5067
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9008
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA461DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SIA461DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9291
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI1032X-T1-GE3, 200 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75A封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1032X-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3031
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF740STRL-GE3, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHF740STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2641
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF740SPBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF740SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9406
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI1032R-T1-GE3, 200 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75A封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1032R-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9024
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4654DY-T1-GE3, 28 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4654DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3246
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFP17N50LPBF, 16 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP17N50LPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2755
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4909DY-T1-GE3, 6.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4909DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1302
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4198
  
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