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• NXP 双 Si N沟道 MOSFET PHKD6N02LT,518, 10.9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  PHKD6N02LT,518
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  509-510
  
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• Magnatec N沟道 Si MOSFET BUZ900, 8 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  BUZ900
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  841-025
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP60R125CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7478
  
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• Magnatec N沟道 Si MOSFET BUZ900DP, 16 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  BUZ900DP
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  197-9941
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF740PBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF740PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0020
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3205SPBF, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF3205SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9210
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF16N15, 11.6 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  FQPF16N15
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5222
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF7N80C, 6.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  FQPF7N80C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5310
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4116DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3317
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 SI4948BEY-T1-E3, 2.4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3377
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN130-200D,118, 20 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN130-200D,118
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8455
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB155N3H6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  STB155N3H6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9480
  
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• STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STW13N95K3, 10 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  STW13N95K3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9777
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW30N65M5, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  STW30N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0317
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF10NM65N, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  STF10NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2732
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK34E10N1, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  TK34E10N1
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5086
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB100N50Q3, 100 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS264封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFB100N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1364
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX64N60Q3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFX64N60Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1506
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN100N50Q3, 82 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFN100N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7565
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP18N20F, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  FDP18N20F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3545
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF18N20FT, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  FDPF18N20FT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3591
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI3433CDV-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  SI3433CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3142
  
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• ROHM Si P沟道 MOSFET RRQ030P03TR, 3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSMT封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  RRQ030P03TR
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7740
  
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• ROHM Si P沟道 MOSFET RRR030P03TL, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 TSMT封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  RRR030P03TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7743
  
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• ROHM N沟道 Si MOSFET RUR040N02TL, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 TSMT封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 50 ns,
• 制造商零件编号：
  RUR040N02TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7813
  
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