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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  SPP21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3207
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA00DP-T1-GE3, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  SIRA00DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9367
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S2L-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  IPI80N06S2L-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6772
  
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• IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTK102N65X2, 100 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-264P封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  IXTK102N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1423
  
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• ROHM N沟道 SiC MOSFET 晶体管 SCT2160KEC, 22 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  SCT2160KEC
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-6908
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 模块 IPP80N06S2L-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S2L-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6984
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP92PH6327XTSA1, 260 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  BSP92PH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8501
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPI21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  SPI21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8772
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMA1430JP, 2.9 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMA1430JP
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3475
  
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• IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTN102N65X2, 76 A, Vds=650 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  IXTN102N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1454
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N04S4-00, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB180N04S4-00
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7420
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60C3, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  SPW20N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-3449
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S2L-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB80N06S2L-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8350
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET SPB21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  SPB21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3162
  
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• Toshiba TPC 系列 Si N沟道 MOSFET TPCA8045-H, 46 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP 高级封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  TPCA8045-H
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5121
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDZ663P, 2.7 A, Vds=20 V, 4引脚 WLCSP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  FDZ663P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0732
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ4401EY-T1-GE3, 17 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  SQ4401EY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3917
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI21N50C3XKSA1, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  SPI21N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8781
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  SPW21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7179
  
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• IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTR102N65X2, 54 A, Vds=650 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  IXTR102N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1432
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA00DP-T1-GE3, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  SIRA00DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4246
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP20N60C3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 67 ns,
• 制造商零件编号：
  SPP20N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-3376
  
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