以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL540NPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL540NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1219
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540NSPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF540NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2458
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NSPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF1010NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2874
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL540NSPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL540NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0440
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRFI9640GPBF, 6.1 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFI9640GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-1128
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640SPBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF9640SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4211
  
• 
  搜索

• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9640LPBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF9640LPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4895
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP120N10, 74 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  FDP120N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9673
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR5305, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR5305
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4312
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK100Z, 2.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  STD3NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9900
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF600N60Z, 7.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  FCPF600N60Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1127
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP600N60Z, 7.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  FCP600N60Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1149
  
• 
  查看其他仓库

• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN016-100XS, 32 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN016-100XS
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  798-2849
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF630STRL-GE3, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHF630STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2623
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640STRLPBF, 6.8 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF9640STRLPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2667
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640STRRPBF, 6.8 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF9640STRRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2676
  
• 
  搜索

• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD100N04-3M6L_GE3, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  SQD100N04-3M6L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3939
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFBA90N20DPBF, 98 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-273AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFBA90N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3950
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540NSTRLPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF540NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2831
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH140N6F7-2, 80 A, Vds=60 V, 2引脚 H2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  STH140N6F7-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2836
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540NLPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF540NLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5028
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3411TRPBF, 32 A, Vds=100 V, 3针+焊片 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR3411TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5014
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFB13N50APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFB13N50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  918-9856
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010NPBF, 85 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF1010NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0777
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640PBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 39 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF9640PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1118
  
• 
  搜索