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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRL630SPBF, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL630SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4441
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1010EZ, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1010EZ
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7655
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF4104PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF4104PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  716-5545
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ035N03MS G, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  BSZ035N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5358
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS2572, 24 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMS2572
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9140
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN2300UFB4-7B, 1.3 A, Vds=20 V, 3引脚 X2-DFN1006封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  DMN2300UFB4-7B
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5128
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTGS4111PT1G, 4.7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  NTGS4111PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5252
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS5443T1G, 4.9 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  NTHS5443T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1055
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8018, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMS8018
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3513
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB30NF20, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  STB30NF20
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  810-7499
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD053N08N3G, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD053N08N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9102
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19536KCS, 259 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD19536KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4919
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R420CFD, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  IPI65R420CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6726
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R420CFDXKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP65R420CFDXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6946
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R420CFD, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  IPW65R420CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7148
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS2572, 27 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMS2572
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4986
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86570L, 56 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMC86570L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8231
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL1404SPBF, 160 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL1404SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5000
  
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• Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET CMF10120D, 24 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  CMF10120D
  品牌：
  Wolfspeed
  库存编号：
  919-9742
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET MCH6421-TL-W, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 MCPH6封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  MCH6421-TL-W
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  920-9815
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7504TRPBF, 1.7 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7504TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-748
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4410DYPBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4410DYPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2414
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF4104SPBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF4104SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8894
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN306P, 2.6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  FDN306P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0416
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD18N20V2TM, 15 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 38 ns,
• 制造商零件编号：
  FQD18N20V2TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0977
  
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