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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFP9140PBF, 21 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP9140PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9727
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4310PBF, 2.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFL4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9884
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48NPBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9957
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6898A, 9.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS6898A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0646
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP038AN06A0, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  FDP038AN06A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4774
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9634GPBF, 4.1 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFI9634GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4780
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7660S, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMC7660S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6288
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7570S, 156 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMS7570S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6336
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD031N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD031N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5446
  
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• Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8403190L, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 HSSO8-F1-B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  SK8403190L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7633
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4190ADY-T1-GE3, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4190ADY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9235
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R0-40YS, 100 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN4R0-40YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2965
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDD4685, 8.4 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  FDD4685
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0893
  
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• Infineon Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7321D2TRPBF, 4.7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7321D2TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8888
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7843PBF, 161 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLR7843PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3388
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS031N03LGAKMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  IPS031N03LGAKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7044
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500DC, 108 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMS86500DC
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-5011
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD4685_F085, 32 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  FDD4685_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8085
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH5500_F085, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  FDH5500_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8161
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6898AZ_F085, 9.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS6898AZ_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8701
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD12N65M2, 8 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  STD12N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5629
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF12N65M2, 8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  STF12N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5639
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC010NE2LS, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC010NE2LS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4270
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC042NE7NS3 G, 100 A, Vds=75 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC042NE7NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4334
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP4409, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 34 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRFP4409
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5069
  
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