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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9610GPBF, 2 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFI9610GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-2193
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQ3426EEV-T1-GE3, 7 A, Vds=60 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SQ3426EEV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9456
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR220TRPBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR220TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0629
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHFBC30AS-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHFBC30AS-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2698
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF620PBF, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF620PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0052
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI520GPBF, 7.2 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFI520GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2711
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR220PBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR220PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9597
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC30APBF, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFBC30APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4768
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI2304BDS-T1-E3, 2.6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2304BDS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3244
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI1403CDL-T1-GE3, 1.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1403CDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9125
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQS460EN-T1_GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SQS460EN-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9522
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU220PBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFU220PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0597
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD220PBF, 800mA, Vds=200 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFD220PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0682
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SQJ960EP-T1_GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SQJ960EP-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9418
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIS330DN-T1-GE3, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 PowePAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SIS330DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1301
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF620S-GE3, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 19 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHF620S-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2629
  
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