产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
DiodesZetex (9)
Fairchild Semiconductor (21)
Infineon (40)
IXYS (4)
Microchip (2)
Nexperia (3)
ON Semiconductor (10)
ROHM (2)
STMicroelectronics (23)
Texas Instruments (1)
Vishay (43)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4306GTA, 2.1 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
ZVN4306GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
169-4151
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP45NF06, 38 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
STP45NF06
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7658
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP450LCPBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IRFP450LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0187
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IRF9Z34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0806
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUD23N06-31L-E3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SUD23N06-31L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
611-1342
查看其他仓库
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFR3504ZPBF, 77 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IRFR3504ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4362
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
FQB27P06TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0873
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD7NK40ZT4, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
STD7NK40ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5147
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC20GPBF, 1.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IRFIBC20GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4783
搜索
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD6415ANT4G, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
NTD6415ANT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2926
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3410, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
AUIRLR3410
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7420
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB14N30TM, 14 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
FDB14N30TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8949
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL1404ZL, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
AUIRL1404ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4334
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL1404ZS, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
AUIRL1404ZS
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4337
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP3LN62K3, 2.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
STP3LN62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9689
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD13NM60N, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
STD13NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9881
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STD3LN62K3, 2.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
STD3LN62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9897
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NM60N, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
STP13NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0008
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF3LN62K3, 2.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
STF3LN62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0465
查看其他仓库
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA04DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SIRA04DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9370
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET SCH1433-TL-H, 3.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SCH封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SCH1433-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-9535
查看其他仓库
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R5-40PS, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
PSMN4R5-40PS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2978
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET CPH3456-TL-H, 3.5 A, Vds=20 V, 3引脚 CPH封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
CPH3456-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9998
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR15N100Q3, 10 A, Vds=1000 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IXFR15N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1430
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5406NT4G, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
NTD5406NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1018
查看其他仓库
1
2
3
4
5
6
7
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号