产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
Vishay (24)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD020, 2.4 A, Vds=50 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRFD020
品牌:
Vishay
库存编号:
435-9429
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRF820APBF, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRF820APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9412
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4936CDY-T1-GE3, 5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SI4936CDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3370
搜索
Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS890DN-T1-GE3, 30 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SIS890DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9395
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIS892ADN-T1-GE3, 28 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SIS892ADN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9399
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SIHL510STRL-GE3, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SIHL510STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0682
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI7454DDP-T1-GE3, 21 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SI7454DDP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4236
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI7454DDP-T1-GE3, 21 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SI7454DDP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9241
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SQJ962EP-T1-GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SQJ962EP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9503
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF614S-GE3, 2.7 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SIHF614S-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2626
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4914BDY-T1-GE3, 6.7 A,7.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SI4914BDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1306
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI7288DP-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SI7288DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1390
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI7288DP-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SI7288DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4334
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRLD110PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRLD110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
301-338
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRLL110PBF, 1.5 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRLL110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-2509
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI3430DV-T1-E3, 1.8 A, Vds=100 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SI3430DV-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3272
查看其他仓库
Vishay N沟道 Si MOSFET SI1062X-T1-GE3, 530 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SI1062X-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3044
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI4172DY-T1-GE3, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SI4172DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3202
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIS438DN-T1-GE3, 14.3 A, Vds=20 V, 8引脚 PowePAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SIS438DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1310
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI7117DN-T1-GE3, 1.7 A, Vds=150 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SI7117DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1387
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU214PBF, 2.2 A, Vds=250 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRFU214PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4838
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRLU110PBF, 4.3 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRLU110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4884
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET SI3438DV-T1-GE3, 7.4 A, Vds=40 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
SI3438DV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3151
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRLU110PBF, 4.3 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 16 ns,
制造商零件编号:
IRLU110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
918-9871
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号