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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD020, 2.4 A, Vds=50 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFD020
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  435-9429
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRF820APBF, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF820APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9412
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6930B, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS6930B
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0655
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF3709ZSPBF, 87 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF3709ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6841
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3709ZPBF, 87 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF3709ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6847
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4936CDY-T1-GE3, 5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4936CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3370
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDD03N60Z-1G, 3 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  NDD03N60Z-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2787
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9335PBF, 5.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF9335PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9252
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB8748PBF, 92 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLB8748PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9329
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC050N03MS G, 80 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC050N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5263
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ097N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  BSZ097N04LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5367
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD105N04L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5468
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDMC86160, 9 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMC86160
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1206
  
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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS890DN-T1-GE3, 30 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  SIS890DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9395
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIS892ADN-T1-GE3, 28 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  SIS892ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9399
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MVGSF1N03LT1G, 2.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  MVGSF1N03LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1954
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHL510STRL-GE3, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHL510STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0682
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19531KCS, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD19531KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4912
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA86551L, 7.5 A, Vds=60 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMA86551L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8174
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4020PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5835
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7454DDP-T1-GE3, 21 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  SI7454DDP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4236
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET SCH1330-TL-W, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  SCH1330-TL-W
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  922-9584
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7910PBF, 10 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7910PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  405-521
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET BSS84LT1G, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS84LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  463-329
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDN338P, 1.6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 16 ns,
• 制造商零件编号：
  FDN338P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0438
  
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