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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 29 ns,
• 制造商零件编号：
  SI9933CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3395
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ4410EY-T1-GE3, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 29 ns,
• 制造商零件编号：
  SQ4410EY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3911
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ34GPBF, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 29 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ34GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4796
  
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• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG14N50D-GE3, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 29 ns,
• 制造商零件编号：
  SiHG14N50D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9213
  
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• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHP14N50D-GE3, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 29 ns,
• 制造商零件编号：
  SiHP14N50D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9216
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ34PBF, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 29 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFZ34PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4869
  
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• Vishay SkyFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIR788DP-T1-GE3, 60 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 29 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR788DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9349
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR496DP-T1-GE3, 26 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 29 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR496DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1285
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQD45P03-12_GE3, 37 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 29 ns,
• 制造商零件编号：
  SQD45P03-12_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3933
  
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