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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1673
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4020H-117P, 9.1 A, Vds=200 V, 5引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFI4020H-117P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  700-3201
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8318TR2PBF, 120 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFH8318TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4378
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB35N10S3L-26
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8671
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N15DPBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFB23N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5778
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA180N10N3 G, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IPA180N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2286
  
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• Infineon OptiMOS 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N06S4L-26, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IPG20N06S4L-26
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9095
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7834PBF, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7834PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4104
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5204TR2PBF, 22 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFH5204TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7265
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N10S3L-34, 30 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD30N10S3L-34
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3018
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSF030NE2LQ, 75 A, Vds=25 V, 2引脚 WDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  BSF030NE2LQ
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9073
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC196N10NS G, 45 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC196N10NSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4371
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7862PBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7862PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-887
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL8113SPBF, 105 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL8113SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7200
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPD25N06S2-40, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD25N06S2-40
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8973
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD04P10PLG, 4.2 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  SPD04P10PLG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9064
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL8113PBF, 105 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL8113PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7207
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NTRPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3300
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：典型关断延迟时间 18 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3878
  
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