产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906DP, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PBL封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
BUZ906DP
品牌:
Magnatec
库存编号:
197-9985
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP460PBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
IRFP460PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9654
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7331PBF, 7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
IRF7331PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2058
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM110N06-3M4L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
SUM110N06-3M4L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-5010
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
IPB60R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8356
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R380C6, 10.6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
IPA60R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2995
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
IPP60R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3049
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLS4030, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
AUIRLS4030
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9256
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK14A65W,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
TK14A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5028
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ATP106-TL-H, 30 A, Vds=40 V, 3引脚 ATPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
ATP106-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9484
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MMSF3P02HDR2G, 5.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
MMSF3P02HDR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-2832
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK14A65W5,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
TK14A65W5,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6123
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R250CPAKSA1, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
IPI60R250CPAKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6700
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R380C6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
IPI65R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6722
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R380C6, 10.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
IPP60R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6924
搜索
Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R380C6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
IPA65R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8621
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP240N10F7, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
STP240N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7567
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK14N65W,S1F(S, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
TK14N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2891
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STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB75NF75LT4, 75 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
STB75NF75LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1579
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP264PBF, 38 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
IRFP264PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9787
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQB55N10TM, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
FQB55N10TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0914
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IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH12N100L, 12 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
IXTH12N100L
品牌:
IXYS
库存编号:
686-7840
搜索
IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET IXTN62N50L, 62 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
IXTN62N50L
品牌:
IXYS
库存编号:
686-7862
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB75NF75LT4, 75 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
STB75NF75LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-6778
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Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI7655DN-T1-GE3, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 110 ns,
制造商零件编号:
SI7655DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9257
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