产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD210PBF, 600 mA, Vds=200 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
IRFD210PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0531
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF610SPBF, 3.3 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
IRF610SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-2020
搜索
Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHF6N40D-E3, 6 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SIHF6N40D-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9153
搜索
Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHF5N50D-E3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SIHF5N50D-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9159
搜索
Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP6N40D-GE3, 6 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SIHP6N40D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9187
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD23N06-31L_GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SQD23N06-31L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9487
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR210TRPBF, 2.6 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
IRFR210TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0616
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI3993CDV-T1-GE3, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SI3993CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3189
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL210TRPBF, 960 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
IRFL210TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2736
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI2318CDS-T1-GE3, 5.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SI2318CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4205
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU210PBF, 2.6 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
IRFU210PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1629
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF610PBF, 3.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
IRF610PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0046
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI2318CDS-T1-GE3, 5.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SI2318CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9036
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP5N50D-GE3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SIHP5N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9184
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI1070X-T1-GE3, 1.2 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SI1070X-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3041
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI1315DL-T1-GE3, 700 mA, Vds=8 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SI1315DL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3057
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Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI3900DV-T1-GE3, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SI3900DV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4277
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI2318CDS-T1-GE3, 5.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SI2318CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5898
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI2306BDS-T1-E3, 3.1 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SI2306BDS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4676
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Vishay D Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHD5N50D-GE3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SIHD5N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9147
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHU5N50D-GE3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-251AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SIHU5N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9193
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Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI3900DV-T1-GE3, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 14 ns,
制造商零件编号:
SI3900DV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
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