以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD210PBF, 600 mA, Vds=200 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFD210PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0531
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF610SPBF, 3.3 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF610SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-2020
  
• 
  搜索

• Nexperia Si N沟道 MOSFET PMF370XN,115, 870 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  PMF370XN,115
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8382
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 29 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMC86102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6314
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC057N03MS G, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC057N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5279
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8325TR2PBF, 82 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFH8325TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4375
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF15NM65N, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  STF15NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0446
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6506P, 1.8 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  FDC6506P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-4417
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4927NT1G, 38 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  NTMFS4927NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4717
  
• 
  搜索

• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHF6N40D-E3, 6 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHF6N40D-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9153
  
• 
  搜索

• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHF5N50D-E3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHF5N50D-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9159
  
• 
  搜索

• Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP6N40D-GE3, 6 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHP6N40D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9187
  
• 
  搜索

• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD23N06-31L_GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  SQD23N06-31L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9487
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG316P, 1.6 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  FDG316P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3383
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA7672, 9 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMA7672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3472
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA8878, 10 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMA8878
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3481
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR210TRPBF, 2.6 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR210TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0616
  
• 
  搜索

• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI3993CDV-T1-GE3, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  SI3993CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3189
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL210TRPBF, 960 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFL210TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2736
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ110N06NS3 G, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  BSZ110N06NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5724
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS127H6327, 21 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS127H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0112
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7469PBF, 9 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7469PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3865
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC110N06NS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC110N06NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5303
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N04S4-03, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  IPB80N04S4-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4509
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S4-03, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 14 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP80N04S4-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6971
  
• 
  搜索