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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR110PBF, 4.3 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9581
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL110PBF, 1.5 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFL110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0418
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9024PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFD9024PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0547
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFU9110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1663
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF510SPBF, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF510SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-1645
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT4N20LTF, 850 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  FQT4N20LTF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1065
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQU11P06TU, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  FQU11P06TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5335
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8734PBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF8734PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6891
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF510PBF, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF510PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-5134
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2309CDS-T1-GE3, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2309CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3250
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI2308BDS-T1-GE3, 2.3 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2308BDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3257
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NDD02N60ZT4G, 2.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  NDD02N60ZT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2771
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDD02N60Z-1G, 2.4 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  NDD02N60Z-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2777
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDD03N50Z-1G, 2.6 A, Vds=500 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  NDD03N50Z-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2780
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDME1024NZT, 3.8 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  FDME1024NZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9576
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC655BN, 6.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  FDC655BN
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-4426
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET Si1308EDL-T1-GE3, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  Si1308EDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9121
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MCH6444-TL-H, 2.5 A, Vds=35 V, 6引脚 MCPH封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  MCH6444-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0960
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MVMBF0201NLT1G, 300 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  MVMBF0201NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1957
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF11P06, 6.1 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  FQPF11P06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5885
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9110TRPBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR9110TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0644
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ036NE2LS, 40 A, Vds=25 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  BSZ036NE2LS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9376
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD30N06S4L-23, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD30N06S4L-23
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4593
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3709ZPBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR3709ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3941
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8726TRPBF, 86 A, Vds=30 V, 3针+焊片 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLR8726TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5115
  
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