产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4105PBF, 27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IRFR4105PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9828
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4105, 20 A,27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
AUIRFR4105
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9146
搜索
Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8403, 100 A, 127 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
AUIRFR8403
品牌:
Infineon
库存编号:
787-0982
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI086N10N3 G, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IPI086N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2166
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB067N08N3 G, 80 A, Vds=80 V, 2针+焊片 PG-TO-263-3封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IPB067N08N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7099
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFIZ34NPBF, 21 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IRFIZ34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9743
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6646TR1PBF, 12 A, Vds=80 V, 5引脚 DirectFET MN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IRF6646TR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6712
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR2905Z, 59 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
AUIRFR2905Z
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7473
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ34N, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
AUIRFZ34N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1875
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET AUIRF7341Q, 5.1 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
AUIRF7341Q
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4274
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Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFU8403, 100 A, 127 A, Vds=40 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
AUIRFU8403
品牌:
Infineon
库存编号:
787-0991
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB083N10N3 G, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IPB083N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7361
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IRFZ34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9761
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NSPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IRFZ34NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0103
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC035N04LSG, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
BSC035N04LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9152
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP086N10N3 G, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IPP086N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2157
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IRFZ34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4766
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2905ZPBF, 59 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IRFR2905ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4312
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRFH5300TR2PBF, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 31 ns,
制造商零件编号:
IRFH5300TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9287
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