产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z34SPBF, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRF9Z34SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
301-221
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4812BDY-T1-E3, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI4812BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3355
查看其他仓库
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3454ADV-T1-E3, 3.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI3454ADV-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4695
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI2337DS-T1-GE3, 1.75 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI2337DS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3123
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET Si2338DS-T1-GE3, 6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
Si2338DS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3126
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF730AS-GE3, 5.5 A, Vds=400 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SIHF730AS-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2648
搜索
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5997DU-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI5997DU-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1365
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9620PBF, 3.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRF9620PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1045
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF624SPBF, 4.4 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRF624SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-2036
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI7456DDP-T1-GE3, 28 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI7456DDP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9244
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9214TRPBF, 2.7 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRFR9214TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0650
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUD50N03-12P-GE3, 17.5 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SUD50N03-12P-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7461
查看其他仓库
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI9945BDY-T1-GE3, 5.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI9945BDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4189
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Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4056DY-T1-GE3, 11.1 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI4056DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4227
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2319CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI2319CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5891
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR224PBF, 3.8 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRFR224PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9945
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Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI3442BDV-T1-E3, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI3442BDV-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3288
查看其他仓库
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI3457CDV-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI3457CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3298
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI2319CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI2319CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9042
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Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4056DY-T1-GE3, 11.1 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI4056DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9137
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR224TRPBF, 3.8 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
IRFR224TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0622
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Vishay Si P沟道 MOSFET SIHF9Z34STRL-GE3, 13 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SIHF9Z34STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2685
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI7114ADN-T1-GE3, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI7114ADN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1378
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI2319CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI2319CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4208
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Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI9945BDY-T1-GE3, 5.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 20 ns,
制造商零件编号:
SI9945BDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
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