产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 119 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 119 ns,
制造商零件编号:
FCP11N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4730
搜索
Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPP80P04P4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 119 ns,
制造商零件编号:
IPP80P04P4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7025
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCB11N60TM, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 119 ns,
制造商零件编号:
FCB11N60TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4923
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB11N60TM, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 119 ns,
制造商零件编号:
FCB11N60TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0337
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60F, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 119 ns,
制造商零件编号:
FCP11N60F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4749
搜索
Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPI80P04P4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 119 ns,
制造商零件编号:
IPI80P04P4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6805
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N60M2-4, 52 A, Vds=650 V, 4引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 119 ns,
制造商零件编号:
STW56N60M2-4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5724
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB80P04P4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 119 ns,
制造商零件编号:
IPB80P04P4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4559
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N60M2, 52 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 119 ns,
制造商零件编号:
STW56N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5720
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