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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS816NW H6327, 1.4 A, Vds=20 V, 3引脚 PG-SOT-323封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS816NW H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7113
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET 2N7002-7-F, 115 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  2N7002-7-F
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  708-2396
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002DW-7-F, 115 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  2N7002DW-7-F
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2529
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NDC7002N, 510 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  NDC7002N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-0161
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS169, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS169
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2844
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC3601N, 1 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  FDC3601N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9015
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6305N, 2.7 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  FDC6305N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-3947
  
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• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHD3N50D-GE3, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHD3N50D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9143
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA8884, 8 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMA8884
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  803-1841
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC654P, 3.6 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  FDC654P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0862
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9210TRPBF, 1.9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR9210TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0657
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET 2N7002E-7-F, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  2N7002E-7-F
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-8641
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8714TRPBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF8714TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3900
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4227PBF, 26 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFI4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3966
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSD816SNH6327XTSA1, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  BSD816SNH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8485
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC8886, 6.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  FDC8886
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8029
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSS205N H6327, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS205N H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2374
  
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• Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17484F4T, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD17484F4T
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  900-9936
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17579Q3AT, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD17579Q3AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3849
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C468NLT1G, 37 A, Vds=40 V, 5引脚 DFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  NTMFS5C468NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  922-9578
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8714PBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF8714PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-681
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9210PBF, 1.9 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFU9210PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1679
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDT458P, 3.4 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  FDT458P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0788
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRL3715ZSPBF, 50 A, Vds=20 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  IRL3715ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7190
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8729PBF, 58 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 11 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLR8729PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7248
  
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