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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023N10N5, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 77 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP023N10N5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7116
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06LS3 G, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 77 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC028N06LS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5241
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN110N60P3, 90 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 77 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFN110N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7596
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVMFS5C404NT1G, 378 A, Vds=40 V, 5引脚 DFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 77 ns,
• 制造商零件编号：
  NVMFS5C404NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  900-8823
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB110N60P3, 110 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS264封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 77 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFB110N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4344
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA33N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 77 ns,
• 制造商零件编号：
  FDA33N25
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7944
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R0-60PS, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：典型关断延迟时间 77 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN3R0-60PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2946
  
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