产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 9.6 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9014PBF, 5.1 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 9.6 ns,
制造商零件编号:
IRFR9014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9604
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD14N03RT4G, 14 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 9.6 ns,
制造商零件编号:
NTD14N03RT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-1750
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRFL9014TRPBF, 1.8 A, Vds=60 V, 4引脚 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 9.6 ns,
制造商零件编号:
IRFL9014TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5643
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6722MTR1PBF, 13 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 9.6 ns,
制造商零件编号:
IRF6722MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6762
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD13NM60ND, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 9.6 ns,
制造商零件编号:
STD13NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9285
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET ZXMD63N03XTA, 2.3 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 9.6 ns,
制造商零件编号:
ZXMD63N03XTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-3166
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFL9014TRPBF, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 9.6 ns,
制造商零件编号:
IRFL9014TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0824
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF13NM60ND, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 9.6 ns,
制造商零件编号:
STF13NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9314
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9014TRPBF, 5.1 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 9.6 ns,
制造商零件编号:
IRFR9014TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0632
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFL9014TRPBF, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 9.6 ns,
制造商零件编号:
IRFL9014TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4654
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NM60ND, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 9.6 ns,
制造商零件编号:
STP13NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7801
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9Z14GPBF, 3.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 9.6 ns,
制造商零件编号:
IRFI9Z14GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2718
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