产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBF20PBF, 1.7 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
IRFBF20PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9541
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4127PBF, 72 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
IRFS4127PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7096
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB80P06P G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
SPB80P06P G
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3166
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQJ460EP-T1-GE3, 32 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
SQJ460EP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9490
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R074C6, 58 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
IPP60R074C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7563
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IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH62N65X2, 62 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
IXTH62N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1417
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4127PBF, 76 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
IRFB4127PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6936
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS83P, 330 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
BSS83P
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2857
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL36N55M5, 22 A, Vds=600 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
STL36N55M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3113
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58E06N1, 105 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
TK58E06N1
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5106
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 105 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
TK58A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5166
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S2-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
IPP80N04S2-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6968
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
TK58A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2401
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STL12N60M2, 6.5 A, Vds=600 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
STL12N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2849
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPP80P06PH, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
SPP80P06PHXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
914-0194
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK52N60Q2, 52 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
IXFK52N60Q2
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5402
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC016N04LS G, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
BSC016N04LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5222
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP36N55M5, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
STP36N55M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2964
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP030N06B_F102, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
FDP030N06B_F102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8524
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD048N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
IPD048N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-2896
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL36N55M5, 22 A, Vds=600 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
STL36N55M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8714
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7739L2TR1PBF, 270 A, Vds=40 V, 11引脚 DirectFET L8封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
IRF7739L2TR1PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
716-5378
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
TK58A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6249
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052N06L3G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
IPP052N06L3G
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6842
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R380E6, 10.6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型关断延迟时间 56 ns,
制造商零件编号:
IPA60R380E6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8602
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